EAK硅金属电阻器与陶瓷复合电阻器相似，因为它们在脉冲负载方面具有优势，并且需要高峰值功率或高电压与低电感（如预充电电路）的组合。 硅金属电阻器具有更高的连续额定温度，为 350°C，而陶瓷电阻器为 250°C。 这种扩展的温度范围使其适用于需要预充电电阻器的 EV 预充电电路和浪涌限制应用。 结构简单，由分散在整个元件体中的硅和金属导电颗粒、体末端的金属触点以及用于高压电阻器应用的防偏移涂层组成。 电阻式硅金属元件使用适用于高能电阻器应用的体电阻率的特定材料混合物制造。
在组合物混合物中选择合适的材料电阻率在几个选项之间变化，以便控制和定制高性能电阻器的性能，以适应高压电阻器高能电阻器应用。 混合后，将材料造粒并压制成所需的特定形状。 这导致了一个高温和导电的块状硅金属线性电阻器。 为了形成电触点，将铝、铜或黄铜火焰喷涂到 EAK 高能电阻器的平面上。 在焊接连接到金属化层的情况下，进一步添加 SN、ZN、PD、CU、AG、ZR 和 CO 可产生导电且机械高度可靠的金属表面。 对于高能电阻盘或高压电阻棒和管，边缘涂有抗偏移涂层，以提高介电电阻。 各种几何形状和电阻率范围可以处理从数百焦耳到兆焦耳的能量。 这些无感功率电阻器（陶瓷电阻器）坚固耐用，具有恒定的机械强度、良好的压缩规格以及只要避免直接冲击即可吸收传递的机械冲击的能力。
硅金属电阻器非常适合需要无感电阻器在高电压下工作以在高温下提供高能量吸收的应用（例如预充电电路电阻器中的电阻器）。 与薄膜或绕线电阻器相比，电阻元件仅占元件总质量的一小部分，硅金属电阻器的主要结构将大部分元件质量集中到电阻元件中，允许高能事件均匀分布在整个材料质量中，类似于碳分量电阻器或陶瓷电阻器（陶瓷复合电阻器）， 没有薄膜或电线会失效的地方。这使得能够在脉冲或浪涌易受负载影响下实现高峰值功率和高可靠性。 由于活性材料的100%是导电的，因此可以生产出最小尺寸的高能电阻器，适用于脉冲或高能量应用，如预充电电路。 大容量电阻器本质上是具有高能量密度的无感电阻器。
与碳复合电阻器相比，陶瓷复合电阻器和硅金属电阻器散热更快，在硅金属电阻器的情况下，可以容忍更高的平均功率。 硅电阻器的高温能力也比碳组件电阻器甚至陶瓷电阻器具有更高的能量密度，这意味着零件更小或更少，从而获得更好的可靠性和更低的成本。 与陶瓷电阻器一样，硅金属电阻器在极端电压和温度下也表现出更好的稳定性。 与其他“高电容”电阻器一样，它们是无感的。 这使得它们非常适合电池或高频应用的预充电电路中的预充电电阻器。
EV预充电电阻器。
高频激光脉冲应用。
电容器放电。
无感电阻，非容性负载突降。
放大器应用需要无感功率电阻器。
预充电电阻电路。
发电机和风力涡轮机充当负载下降。
缓冲区应用。
虚拟负载。 过压保护。
电池预充电电路。
大多数电阻元件不太适合高电压和高能量的组合。 当传统的电阻元件（绕线或薄膜类型）在油下使用时，高能事件会导致导电元件的温度显着升高。 由于元件的表面积小，这种高热通量很难消散。 这些小元素产生的高热量也会带来油降解的风险。 就可生物降解油而言，它们变得越来越普遍，它们具有更高的水分，并且可以有更多的碳氢化合物气体溶解在油中。 这可能导致油品降解，影响关键的热和电气规格。 对于给定的高能事件，硅金属电阻器的温升要低得多，因为 100% 的活性材料是导电的，这使得能量和功率可以均匀地分布在整个质量中。 硅金属线性电阻器还具有较大的表面积，这使得更容易将热能传导到油中。 在大多数油下的性能也是众所周知的。
硅金属电阻器（Si-metal）是采用100%活性材料的硅金属电阻器，具有极高的浪涌能量额定值，并提供比传统陶瓷复合电阻器更高的扩展工作温度。 这些SIICO电阻器允许350°C的连续额定温度和390°C的短期额定温度。 我们的硅金属电阻器适用于需要高耐压性和高电流密度的空气、油和 SF6 环境和应用。 硅金属电阻器的独特结构可实现最高的连续额定功率和高能量吸收。 硅金属线性电阻器故障发生在 600°C 及以上。 硅金属电阻器的常见几何形状是不同尺寸的棒和管。 与其他陶瓷电阻器一样，硅金属电阻器可以串联或并联，以获得不同的总能量、电气值和额定功率。
硅电阻器材料特性