与台积电中国大陆相比，美国芯片技术落后4年，落后2代！

"与台积电中国大陆相比，美国芯片技术落后4年，落后2代！ "！

大家都知道，在半导体领域，台积电是世界顶级企业之一。

在科技方面，台积电在3纳米制程上也取得了相当不错的成绩，3纳米制程占台积电营收的15%。

在市场份额方面，台积电占据了全球晶圆代工厂的55%以上，也是全球最大的制造商。

但问题是，与台积电相比，中美之间有多少代？

以中国为例，从表面上看，他们的技术水平落后了好几倍，因为在14纳米和3纳米之间，还有10纳米、7纳米、5纳米的差距，也就是说，他们已经领先了四倍。

14纳米工艺，台积电在八年前就完成了，也就是说，他们需要八年多的研发周期，但这是一个近似的数字。

但是就公众而言，我们有7纳米工艺的芯片，我们怎么能证明这一点呢？ 华为的麒麟9000是中国掌握7nm工艺技术的一个很好的例子。

在7纳米和3纳米之间，虽然只有5纳米的差距，但台积电在2019年才开始量产7纳米，也就是说，我们和台积电之间还有两个时代。

但这并不意味着四年后我们就能实现3纳米，因为我们知道这只是一个参考，而不是一个数字，也就是说台积电将能够在4年内从7纳米突破到3纳米。

以美国为例，美国的半导体技术与中国相差不大。

美国的3纳米工艺是世界上最强的，也是世界上最先进的半导体公司，比如英特尔，其3纳米工艺也处于中国的水平。

7纳米芯片，与中国的芯片技术处于同一水平。 这样想，还差两个时代，四个时代还差。

不过，英特尔的7纳米制程普遍看好业界，英特尔的7纳米制程技术已经与台积电不相上下。

此外，英特尔也发表声明称，他们将在2024年之前研究2纳米工艺，能否成功要到明年才能确定。

从这个角度来看，美国在芯片生产上并没有想象中的那么强，我们不需要太着急，我们只需要努力取得更好的成绩。