英特尔1nm生产时间**，技术领先台积电！
根据汤姆的说法'2月28日，英特尔宣布，此前未公布的英特尔10A（1nm）工艺节点将于2027年底投产，英特尔14节点将于2026年投产。
a "代表埃，10 埃相当于 1 纳米（1 纳米）。 这意味着英特尔 10A 是英特尔的第一个 1nm 节点。
上周，《Core IoT》杂志发表了一篇关于英特尔前段时间公布的技术节点路线图的详细报告（重磅！ Microsoft ARM与英特尔合作构建内核，OpenAI CEO谈人工智能计算需求，英特尔14A制程技术首次发布）。英特尔没有直接给出英特尔 14a 节点的具体生产时间表，但也没有提到英特尔 10a。
英特尔 14A 将是英特尔首款使用高纳米 EUV 光刻技术的工艺技术。 相比之下，根据台积电之前的路线图，14nm A14级工艺的推出预计将于2027-2028年完成，而采用High-Na EUV的1nm A10级工艺的开发将在2030年左右完成。
如果英特尔的晶圆代工业务能够及时实现其计划，它将在关键的1nm节点上重新获得技术领先地位，超越台积电。
英特尔公司执行副总裁兼全球首席运营官 Keevan Esfarjani 就未来几年的路线图进行了内容丰富的演讲。
左图显示了英特尔按工艺节点划分的 WSPW（每周生产的晶圆），Y 轴上没有注释。 此图提供了对英特尔生产情况的直接见解。
英特尔没有提供有关英特尔 10A 1nm 节点的详细信息，但表示新节点将带来至少两位数的功耗和性能改进。
据英特尔CEO帕特·基辛格（Pat Kissinger）介绍，新节点的性能提升了约14-15%，英特尔10A节点的性能至少可以与英特尔14A节点相媲美。 （例如，Intel 7 和 Intel 4 之间有 15% 的改进）。
随着向支持 EUV 的工艺节点的过渡，英特尔将稳步减少 14 纳米、10 纳米、英特尔 7 纳米和 12 纳米节点的整体产量。
英特尔还打算积极扩展其在 Phobelos、EMIB、SIP 和 HBI（混合绑定互连）方面的先进封装能力。 扩大封装能力是解决当前人工智能加速器短缺问题的关键。 产能扩容将确保先进处理器在先进封装中的稳定性，包括 HBM**。
该公司前段时间完成了所有使用标准包装的内部包装工作，现在正在完全过渡到优质包装，并将使用组装和测试承包商OSAT进行标准包装工作。
这张图显示了英特尔如何转向外部代工厂，这将使公司能够增加每个节点的产量，并延长每个节点的生产时间，以满足客户订单的需求。 从长远来看，这将使公司能够增加客户订单的每节点产量和每个节点的生产时间，从而最大限度地提高其晶圆厂和硬件支持的利润率。
Esfarjani 先生还谈到了英特尔的全球活动。 除了现有设施外，英特尔还计划在未来五年内投资1000亿美元，以扩大和建设新的生产设施。
英特尔将共享多个用于节点生产的制造设施：英特尔 18a 将位于亚利桑那州的 52 号和 62 号工厂。 Hightower Semiconductor 的先进封装和 65nm 晶圆制造将位于新墨西哥州的 Fabs 9 和 11X。
该公司尚未透露英特尔10a的生产地点，但正在俄亥俄州，以色列，德国，马来西亚和波兰扩大生产。
英特尔还打算在未来建立完全自主的AI工厂，并计划将AI应用于生产过程的各个方面，例如，从产能规划和**到提高生产力和实际生产运营'十次登月'。
埃斯法贾尼没有给"月球计划"但指出，该计划将影响公司未来运营的各个方面。 这包括引入人工智能"协作机器人"（协作机器人）——可以与人类并肩工作的协作机器人——以及在生产过程中广泛引入机器人自动化。
Thorstoms硬件。