半导体该行业一直被考虑科技该领域的“弯道超车”，在这个领域占有一席之地的人，比如梁梦松，曾经指出过半导体该领域不允许“弯道超车”。 然而，中国不乏声音认为，我们有望在这个复杂的领域实现技术超越。 而这个时候，正是美国正确的时候半导体限制出口，但国内已成功发展7纳米的先进芯片。许多外国的半导体巨头们还认为，在美国的禁令下，中国的芯片该行业将迅速崛起。 然而，最新的关键数据揭示了一个现实：在半导体在制造业方面，该国仍然对硅片、电子特种气体和光刻 胶其他主要原材料严重依赖进口，自给率不到10%。 这意味着国产芯片仍受制于国外关键原材料，无法完全自主可控。 在这种情况下，国产芯的“火”可能为时过早。
国内半导体制造所需的各种原材料，如硅片、电子特种气体等光刻 胶等，自给率不到10%，这使得国内芯片该行业仍然受到国外对关键原材料的限制。 以硅片为例，我国制造的大型硅片尺寸仅为300片纳米，市场占有率低，难以与国外竞争; 而光刻 胶在其他方面，国内厂商大多停留在90纳米技术水平更难涉足更先进的技术。 因此，无论是自给率还是工艺水平，国内芯片与国外仍有较大差距。
扩展：硅晶圆作为半导体制造中的关键材料及其质量和规格芯片性能有直接影响。 目前，虽然中国在硅片生产方面取得了一些进展，但仍然难以与国外巨头相提并论。 而光刻 胶它是制造过程中不可缺少的材料芯片制造过程起着至关重要的作用。 国内对这些关键原材料的高度依赖凸显了我们的半导体在这个领域，还需要提高产业链的自主程度。
除了缺乏自给自足外，国内半导体材料的技术水平与国外一流厂家也存在较大差距。 例如，国内厂商的工艺技术大多集中在下层纳米水平，很难达到国际先进水平。 对于光掩模，光刻 胶配套试剂、抛光垫等各种材料的覆盖也存在难点，技术壁垒不容忽视。 在目前市场规模不大但变化多端的情况下，国内厂商必须在研发投入和市场前景之间做出权衡，投资意愿较小半导体在原材料领域，很难推动行业整体技术升级。
扩展：技术水平是判断一个国家的方式半导体实力的重要标志，国家在半导体材料技术水平与国外还有明显差距。 特别是在晶圆生产过程中光刻 胶在配方等关键材料的研发方面，我国仍需加大投入和突破。 虽然市场规模相对有限，但不同类型材料的制备和应用仍然是推动行业进步的重要环节，国内厂商必须更加努力地扩大技术范围。
国产芯片虽然取得了一定的突破，但仍面临诸多挑战和问题。 到国内半导体缺乏原材料自给自足和技术差距就是这些问题的例子中国芯片全球半导体链竞争地位。 有待实现芯片为了行业的可持续发展，国内厂商需要加大关键原材料研发和工艺技术改进的投入，做好长远规划和布局。 同时，我们也要理性看待自身的发展现状，未雨绸缪，低调前行，这样才能更好地赢得未来的发展机遇。