MOSFET栅极 源极的下拉电阻的作用是什么？

MOSFET栅源下拉电阻的作用是什么？

米勒电容：栅极 （g） 和漏极 （d） 之间的寄生电容。

当MOSFET关断时，米勒电容的存在会导致MOS晶体管的VDS产生从接近0（饱和压降）到总线的电压变化过程，这个电压变化率为“DV DT”，但电容器是发生电压变化的器件，电容器两端的电压发生变化， 也就是说，生成了当前的“I”。

Gs之间有一层绝缘体，即二氧化硅（SiO2），所以G-S是高阻抗（从几十到几百兆不等），一旦驱动异常，就可以通过米勒电容的电流给G-S充电，小电流和高阻抗可能对应高电压， 栅极电压充电，当超过阈值电压“VGS（TH）”时，会导致MOSFET重新开路，这是一个非常危险的情况。

你可以看一下这种反激式电源拓扑的MOSFET驱动器，即米勒电容电流通过驱动芯片的内部下拉低电阻环路释放，从而避免栅极被高电荷和误导。

这里我们知道驱动芯片内部已经有下拉电阻，但是如果驱动电阻RG在外部情况下开路或未连接，那么下拉电阻（R8）可以为米勒电容提供下拉路径，使MOS晶体管G-S能够保持低阻抗和稳定的安全状态。 这就是下拉电阻的用武之地。

下拉电阻还有另一个用途：预保护电阻。

我们知道MOS晶体管G-S是一种高阻抗，这就是为什么它是一种ESD敏感器件。 其高电压施加在栅极上，不易放电，累积过程会损坏G-S极之间的二氧化硅层，导致器件失效。

因此，下拉电阻还考虑了功耗和实际泄放。 一般在中小功率电源（0 500W）中选择这个电阻值在10k-20k左右，选择大功率电源47k~10k。

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