东芝推出新一代基于DTMOSVI高速二极管的功率MOSFET，以帮助提高电源效率。
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今天宣布推出高速二极管型功率MOSFET，DTMOSVI（HSD）用于下一代[1] DTMOSVI系列超结结构，用于数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。 前两款 650 V N 沟道功率 MOSFET TK042N65Z5 和 TK095N65Z5 现已开始批量出货。
新产品使用高速二极管来改善桥式和逆变器电路应用中的关键反向恢复[2]特性。 与标准DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间（TRR）减少了65%，反向恢复电荷（QRR）减少了88%（测试条件：-didr DT 100 A s）。
新产品采用的DTMOSVI（HSD）工艺改善了东芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢复特性，在高温下具有更低的漏极截止电流。 此外，新产品具有较低的品质因数，即“漏源导通电阻栅极漏极电荷”。 与东芝现有的TK62N60W5[4] [5]器件相比，该TK042N65Z5具有约90%[3]的高温漏极截止电流，漏源导通电阻栅源电荷降低了72%。 这将降低功率损耗，并有助于提高产品效率。 在 1在 5 kW LLC 电路 [6] 测试中，TK042N65Z5的功率效率提高约为 04 %。
从现在开始，客户可以使用东芝上的TK095N65Z5**“1获得参考设计6 kW 服务器电源（升级）”。 此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。 除了可以快速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还有可以准确再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝计划在未来扩大DTMOSVI（HSD）产品线。 新器件将采用 TO-220 和 TO-220SIS 通孔封装，以及 TOLL 和 DFN 88 表面贴装封装。
此外，东芝除了已经推出的650V和600V产品外，还将继续扩大DTMOSVI系列产品线，以提高开关电源的效率，为设备的节能做出贡献。
标准和高速二极管 650 V 功率 MOSFET 的 QR 比较。
TK095N65Z5和TK35N65W5的 IDSS 150 °C TRR 比较。
TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS（ON） QGD比较。
TK042N65Z5和TK62N60W5效率的比较。
使用新产品的参考设计“16 kW 服务器电源（升级）”。
电路板的外观。
简单的框图。
应用：工业设备。
开关电源（数据中心服务器、通信设备等）。
电动汽车充电站。
光伏发电机组的功率调节器。
不间断电源系统。
特点：新一代DTMOSVI系列高速二极管型产品。
高速二极管类产品的反向恢复时间：
TK042N65Z5 TRR 160 ns（典型值）。
TK095N65Z5 TRR 115 ns（典型值）。
高速开关时间和低栅极漏电荷：
TK042N65Z5 QGD 35 NC（典型值）。
TK095N65Z5 QGD 17 NC（典型值）。
主要规格：除非另有说明，否则TA 25°C）。
注：1] 截至2024年2月22日的东芝调查。
2] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
3] 东芝测量的值：
新产品TK042N65Z5为 02 mA （测试条件：VDS 650 V、VGS 0 V、TA 150 °C）。
现有产品TK62N60W5为 19 mA （测试条件：VDS 600 V、VGS 0 V、TA 150 °C）。
4] 600 V DTMOSIV （HSD） 系列。
[5] 数值由东芝测量。
测试条件：TK62N60W5
rds(on)：id＝30.9 a、vgs＝10 v、ta＝25 °c
qgd：vdd＝400 v、vgs＝10 v、id＝61.8 a、ta＝25 °c
tk042n65z5
rds(on)：id＝27.5 a、vgs＝10 v、ta＝25 °c
qgd：vdd＝400 v、vgs＝10 v、id＝55 a、ta＝25 °c
[6] 数值由东芝测量。
测试条件：VIN 380 V、VOUT 54 V、TA 25 °C
7] vdss＝600 v
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tk042n65z5
tk095n65z5
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