太狠了！ 向立港台积电芯片制造工艺持续升级
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晶圆工艺一直在改进。 过去几年主流工艺是7nm和5nm，现在已经进入3nm，2025年台积电、三星等也将开始量产2nm工艺。
随着芯片制造工艺取得如此重大突破，以及客户对成功的渴望，以及美国芯片生产法的不断修订，更多的工艺正在被审视。 然而，制造过程的进步真的能带来质的变化吗？ EUV 光刻可以应用于 7nm 及更低的工艺吗？
对此，知名通信专家项立刚表示，台积电对芯片制造工艺的持续改进令人惊叹！
高品质的战斗技巧。
7nm是突破性技术，6nm和5nm是高端技术，10nm和14nm是先进技术。 为了制造 7 nm 或更小的晶圆，大多数制造商都需要 ASML 的 EUV 光刻机。
最重要的是，美国对EUV光刻机的需求很大，而中国还没有EUV光刻机，很难制造7nm以下的芯片。 久而久之，很多人都得出了EUV光刻机可以制造高端芯片的结论，这已经成为不成文的规矩。
这并不是一件奇怪的事情，一个好的设备可以大大提高芯片的良率。 因此，当台积电和三星开始开发2纳米工艺时，目前的EUV光刻技术已经无法满足需求，需要更先进的设备来制造。
为此，阿斯麦发布了新一代高数值孔径EUV光刻机，成本高达270亿元，重量高达150吨，成本高达270亿元，目前尚未上市。 但是，高分辨率NA EUV光刻设备仍然短缺，目前已收到10-20个订单。
当然，中国不会有高数值的EUV光刻机，这是否意味着我们没有机会与高端工艺竞争？ 项立刚的话，让他如梦似幻地醒了过来。
项立刚揭穿**。
知名通信专家项立刚指出，台积电进一步改进7纳米及以后的工艺将依靠最昂贵的EUV光刻机，这被视为一种趋势，可能成为制约中国发展的手段。
江先生还表示，台积电的工艺更新其实是一场闹剧，中国将量产5nm芯片，这将导致中国没有EUV光刻技术就无法实现这一目标。
从向立刚的讲话来看，台积电的7纳米光刻机简直就是骗人，任何5纳米、3纳米的技术都是骗人的。
项立刚指的是台积电，虽然台积电一直在研发5nm和3nm芯片，但深紫外光刻技术完全可以满足市场的需求。 这个**被项立刚曝光是真的吗？
甚至有消息称，华为麒麟9000 S芯片将成为Mate60系列的主力产品，成为热销产品。 麒麟9000 S芯片为国产，不采用美国技术或极紫外光刻工艺。 不过，即使是麒麟9000 S芯片，也不逊色于台积电的5nm工艺，甚至被超越。
也许用不了多久，中国就能利用现有技术做出重大贡献。
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