年月日常英飞凌科技股份公司(FSE**:IFX OTCQX**:IFNNY)将其在磁性位置传感器技术方面的成熟专业知识与成熟的线性隧道磁阻(TMR)技术与XENSIV TLI5590-A6W磁性位置传感器相结合。 该传感器采用晶圆级封装,适用于线性和角度增量位置检测。 该半导体器件符合 Jedec JESD47K 标准,适用于工业和消费类应用,可替代光学编码器和解码器,尤其适用于相机定位镜头的变焦和焦距调整。
该TLI5590是一款基于英飞凌TMR技术的低磁场传感器,专为大容量传感器系统而开发。 因此,该传感器具有超高灵敏度、低抖动和低功耗的特点。 与线性霍尔传感器相比,TMR 传感器具有更好的线性度、更低的噪声和更低的滞后。 其高信噪比和低功耗可实现低功耗的经济高效的磁路设计。
因此,新传感器能够在方向快速变化的情况下精确检测。 TLI5590由两个TMR惠斯通电桥组成,其中TMR电阻取决于外部磁场的方向和强度。 结合多极磁铁,每个电桥提供差分输出信号,即正弦和余弦信号。 这些信号经过进一步处理,可用于测量相对位置。
该传感器采用极小的 6 焊球晶圆级封装 SG-WFWLB-6-3。 由于集成密度更高,传感器尺寸可以减小,以支持微型系统中的小型化和位置检测。 TLI5590-A6W 通过使用合适的线性或旋转磁编码器,可实现精度超过 10 m 的超高精度精密测量。 该传感器的最高工作温度为 +125°C,可灵活地用于各种工业和消费类应用。 由于其高温稳定性,它也是在各种恶劣环境中使用的首选传感器。
可用性
TLI5590-A6W 现已开放订购。
刘丽清)。
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