仅使用国产设备，我们可以生产多少纳米级芯片？
众所周知，芯片制造过程极其复杂，涉及数百种材料、数百种器件、数千道工序。 毫不夸张地说，半导体制造工艺是世界上最复杂的，涉及的**链也是世界上最复杂的。
在这些**链中，美国垄断了EDA和半导体设备，日本垄断了半导体材料，荷兰垄断了光刻机。 而美国对中国芯片产业的封锁和遏制，就是因为我们在**链上没有占上风。
在这种情况下，我们需要建立国内**链，逐步减少对外部**商家的依赖。
在国内**链中，半导体设备是不可缺少的重要一环。 这是因为美国对半导体设备的规定越来越严格，从之前的7nm限制到14nm，有的甚至开始限制到40nm。
那么问题来了：例如，如果只使用当前的国产设备，而不是来自美国、日本或荷兰的外国设备，可以生产多少纳米芯片？
芯片生产可分为三个主要步骤：晶圆制造、预处理和后处理。
毋庸置疑，这项工作指的是将沙子变成硅片的过程，因为这项工作允许我们使用国产设备生产300毫米的硅片，而300毫米的硅片可以用于2纳米、1纳米，这一块就不用考虑了。
主要集中在第一道工序，即通过光刻技术，将芯片电路烘烤成硅片，这需要使用光刻机、蚀刻机、清洗机、离子注入等工艺，以及半导体器件的主芯，主要是工艺。
如上图所示，这些生产设施的阶梯和技术水平各不相同，例如，最先进的蚀刻系统实际上已经达到了 5 纳米甚至 3 纳米，而有些仍然停留在 14 纳米，有些是 28 纳米，甚至 65 纳米。
根据鼓理论，实际的层厚取决于最短的段，即光刻设备。 因此，如果仅使用国产设备，理论上的最大层厚为65nm。
然而，这只是理论上的，这些设备的实际应用，包括定制、建立生产线，甚至生产管理软件，都有可能达到65nm，甚至进入未知领域。 ・・
不要太紧张，这块其实是封装测试，相对没有那么多芯子，而且内部密封测试已经达到了世界最高水平，然后再走一遍流程。
从理论上讲，国产半导体应该达到65纳米左右的水平，只需要国产设备，而且不依赖进口，但没有人知道在实际应用中能达到多远，但不应该超过65纳米。
65纳米应该还不够，但一旦达到7纳米，估计也不会太近，国产半导体设备还是要振作起来的，只要大家达到7纳米的水平，问题原则上就解决了，禁令就成了一纸空文。