在一篇文章中,我们了解了意法半导体STM32WB55REV6微控制器的参数、工作原理、应用引脚

小夏 科技 更新 2024-01-29

STM32WB55Rev6多协议无线和超低功耗器件嵌入了功能强大的超低功耗无线电模块(符合低功耗蓝牙Sig规范5)。0 和 IEEE 80215.4-2011标准)。该器件包括一个专用的 ARM Cortex-M0+,用于执行所有低级实时操作。

STM32WB55Rev6基于高性能ARM Cortex-M4 32位RISC内核(工作频率高达64 MHz),专为超低功耗而设计。 该内核带有一个单精度浮点单元 (FPU),支持所有 ARM 单精度数据处理指令和数据类型。 它还具有 DSP 指令集和存储器保护单元 (MPU),可增强应用安全性。

IPCC 通过六个双向通道提供增强的处理器间通信。 HSEM 提供硬件信号量,用于在两个处理器之间共享公共资源。

STM32WB55Rev6 内嵌高速存储器(STM32WB55xx 最高 1 MB 闪存,STM32WB35xx 最高 512 KB 闪存,STM32WB55xx 最高 256 KB SRAM,STM32WB35xx 最高 96 KB)、四通道 SPI 闪存接口(所有封装均提供)以及各种增强型 IO 和外设。

14 个 DMA 通道支持存储器和外设(以及存储器到存储器)之间的直接数据传输,并在 DMAMUX 外部提供完全灵活的通道映射。

这些器件为嵌入式闪存和SRAM提供了多种机制:读出保护、写保护和专有**读出保护。 内存部分只能由 cortex -m0+ 独占访问,以确保安全性。

类型:发送接收 + MCU

RF 系列标准:80215.4.蓝牙。

协议:蓝牙v50、thread、zigbee®

调制方式:GFSK

频率:2402ghz~2.48ghz

数据速率(最大值):2mbps

功率输出:6 dB。

灵敏度:-100dBm

内存大小:512KB 闪存,256KB SRAM

串行接口:IC、SPI、UART、USART、USB

通用 I/O 接口:49 个

电压 - 电源: 171v~3.6v

电流 - 接收:45ma~7.9ma

电流发射:52ma~12.7ma

工作温度:-40-105(ta)。

安装类型:表面贴装。

箱体:68-VFQFN 裸露焊盘。

*商用设备封装:68-VFQFPN (8x8)。

无线电广播。

2.4 千兆赫。

支持蓝牙 5 的射频收发器。

ieee 802.15.4-2011 PHY 规范。

和 Mac,支持线程和。

zigbee®3.0

RX 灵敏度:-96 dBm(蓝牙低。

1Mbps 时的能量)、-100 dBm (802.)15.4)

高达 +6 dBm 的可编程输出功率

步长为1db

集成巴伦,减少BOM

支持 2 Mbps

专用 ARM 32 位 Cortex M0+ CPU

用于实时无线电层。

用于功率控制的精确 RSSI。

适用于需要合规性的系统。

符合射频法规 etsi en

300 328、EN 300 440、FCC CFR47 第 15 部分。

和 ARIB STD-T66

支持外部 PA

提供集成无源器件 (IPD)

配套芯片可实现最佳匹配。

溶液(MLPF-WB55-01E3 或。

mlpf-wb55-02e3)

超低功耗平台。

1.71 比 36 V 电源。

温度范围:40°C至85 105°C。

13 nA 关闭模式。

600 Na 待机模式 + RTC + 32 kb

记忆。 –2.1 A 停止模式 + RTC + 256 kB RAM

有源模式 MCU:53 A MHz <(射频)

并 SMPS 打开。

无线电:RX 45 ma/tx,0 dbm 5.2 ma

STM32WB55Rev6原理图。

STM32WB55Rev6引脚图。

STM32WB55Rev6 封装。

STM32WB55Rev6丝印。

STM32WB55Rev6 部件号说明。

如需数据表、样品测试、采购、BOM匹配等需求,客服微信:13310830171。

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