昨日,三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源前往荷兰,参观半导体设备制造巨头ASML总部。 此次访问的主要议题是半导体芯片制造方面的合作,ASML和韩国的尹锡悦也参加了会谈。
据了解,当晚,ASML宣布已与三星电子签署谅解备忘录,双方计划投资1万亿韩元成立合资公司,约合资54韩元投资5亿元人民币在韩国成立研究中心,专注于下一代极紫外(EUV)光刻机技术,推动超精细半导体制造工艺的发展。 这一决定标志着三星电子在半导体领域的雄心壮志,也巩固了ASML与三星之间的合作伙伴关系。
同时,ASML还宣布已与SK海力士就环境、社会和公司治理(ESG)问题签署了谅解备忘录(MOU),旨在扩大在上述领域的合作。
不久前,有报道称,三星电子计划在未来五年内从ASML购买50台EUV光刻设备,每台总价值约2000亿韩元,总价值高达10万亿韩元,折合人民币545亿元。
去年 6 月,三星电子推出了世界上第一个使用全栅极 (GAA) 技术的 3nm 代工工艺。 因此,公司一直在积极采购EUV光刻设备,以实现其第二代制程目标,即明年上半年进入3nm制程,随后在2024年进入2nm制程,最后在2024年进入1.2nm制程4nm工艺的突破。
考虑到EUV器件的交货时间至少需要一年时间,李在镕会长去年与ASML首席执行官Peter Bennink的多次会晤似乎已经取得了实实在在的成果,为三星电子未来在半导体领域的发展奠定了坚实的基础。
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