随着科学技术的不断发展，新的存储技术也不断涌现，其中磁随机存取存储器（MRAM）因其独特的优势而成为存储器行业的热点。 近日，浙江赤拓科技股份有限公司（以下简称“赤拓科技”）成功研发出自主存储芯片、嵌入式IP等系列产品，技术水平处于全球第一梯队，无疑为MRAM新技术的应用开辟了一条新路径。近日，浙江赤拓科技股份有限公司（以下简称“赤拓科技”）B轮融资签约仪式举行。 会上，金融控股投资公司、诚通混改、诚通国测、国信综合改革、湖州新创、尚奇资本等与赤拓科技签订增资合同。 据介绍，驰拓科技拥有国内领先、世界一流的12英寸新型存储芯片中试线，建立了28nm、40nm等多项先进工艺平台，自主研发并掌握了MRAM设计制造的全套关键技术，并成功研发了自主存储芯片和嵌入式IP等产品， 技术水平处于世界第一梯队，是国内领先的新型高端存储芯片设计制造制造商。
MRAM是一种新型的非易失性存储器，它利用磁性材料的特性，通过改变磁矩的方向来存储数据。 与传统的DRAM和SRAM相比，MRAM具有更高的读写速度、更低的功耗、更长的使用寿命和更好的耐久性。 这些优势使得MRAM在物联网、人工智能、工业控制、汽车电子等领域具有广泛的应用前景。
作为国内领先的新型高端存储芯片设计与制造商，赤拓科技自主研发并掌握了MRAM设计制造的全套关键技术，并成功研发了单机存储芯片、嵌入式IP等系列产品。 这不仅标志着中国MRAM技术研发取得重要突破，也在中国全球存储器市场的竞争中赢得了更多的话语权。
然而，尽管MRAM具有许多优点，但其商业应用仍面临一些挑战。 首先，MRAM相对较高的制造成本限制了其在大规模生产中的应用。 其次，MRAM的稳定性和可靠性有待进一步提高。 此外，MRAM的数据保留时间相对较短，这对于需要长时间存储数据的应用来说是一个挑战。
尽管如此，随着技术的不断进步，这些问题还是有可能得到解决的。 例如，通过采用新材料和新工艺，可以降低MRAM的制造成本;通过优化设计和改进制造工艺，可以提高MRAM的稳定性和可靠性通过提高数据保留时间，可以拓展MRAM的应用场景。
在全球范围内，也有多家公司在MRAM技术的研发方面取得了重大进展。 例如，美国的英特尔公司和日本的日立公司都在MRAM技术的研发方面取得了重要突破。 英特尔成功开发了基于自旋转矩传递机制的MRAM技术，而日立则成功开发了基于自旋转矩传递机制的MRAM技术。 这些公司的研究成果不仅推动了MRAM技术的发展，也为全球存储器市场的发展提供了强大的动力。