永久豁免！美国调整芯片限价策略，外媒暗中打压开始

自从华为率先进入全球5G以来，美国近年来不断加大芯片限制力度，10年前出台了更严格的出口管制新规，随后又与日本、荷兰达成三方协议，共同实施限制。

前段时间，荷兰和日本相继宣布实施出口管制，当人们以为限制会继续加大时，美国的态度突然转变，会延长豁免期，甚至可能是永久豁免，但外媒却认为这是变相打压的开始！

本来，美国主要限制了我们对逻辑芯片的开发，限制了台积电和三星被列入中国高端芯片代工实体名单，比如华为海思设计的麒麟芯片，本来可以开始与苹果和高通竞争。

另一方面，限制先进晶圆制造设备和技术的出口，阻碍了中芯国际等中国工厂高端晶圆制造的发展。例如，ASML被限制出货高端光刻机，首先是EUV光刻机，后来是浸没式DUV光刻机。

不过，在美光的游说下，美国已将存储芯片列入限制名单，新规中也包含了相关限制性条款。

美光是美国存储芯片巨头，与韩国的三星、SK海力士并称为全球存储三巨头，当然也是竞争对手，而三星和SK海力士的市场份额比美光更大，在大陆也有存储晶圆工厂。

随着近年来中国储能的兴起，长江储能、长鑫储能等技术不断完善。于是美光开始耍花招，游说美国阻挠中国存储产业的发展，于是美国开始限制存储芯片。

然而，限制向非洲大陆运送先进设备的新规定不仅会影响中国公司，还会影响韩国公司三星和SK海力士。

除了长江存储和长信存储，三星和SK海力士也在加大在中国大陆的工厂扩张力度。然而，三星和SK海力士很快获得了一年的豁免，但该工厂的扩建将需要数年时间。

三星和SK海力士一直在为一年后该做什么而苦苦挣扎，因此他们一直在积极沟通推迟。

前段时间有报道称，美国打算延长豁免期。据韩国**称，三星和SK海力士已获得美方VEU授权，每个项目都不需要申请出口许可证，相当于美方"无限期弃权"！

三星和SK海力士急于延长豁免期，因为他们在中国大陆的工厂产能占很大比例，例如三星习工厂的NAND产能占整个公司的40%，SK海力士无锡工厂的DRAM产能占总产量的近一半。

他们的扩张需要提前计划购买生产设备，以便美国半导体设备制造商**可以提前安排生产，这只有在豁免期的延长得到确认后才能计划。与此同时，韩国硅片企业因美国对硅片的限制而损失惨重。

因此，韩国**和相关公司一直在与美国主管当局沟通，要求他们重新考虑下限。

前段时间，美国透露，美国商务部副部长表示，拜登打算延长豁免期，允许三星、SK海力士和台积电继续在美国大陆运营。消息公布后，三星和SK海力士都松了一口气。

对此，有分析认为，美国已经开始放宽限制。不过，据国外援引业内专家分析，美国其实正在改变其芯片限制策略，因为它发现，未来几年的打压并没有阻止中国芯片的进步。

结果，美国在某些政党方面开始试图摆脱所有镇压。对于外国**：变相镇压的开始！

就存储芯片而言，国产存储芯片的发展速度非常快，长江NAND存储技术已达到世界领先水平，232层NAND闪存率先实现量产应用，领先于三星、SK海力士、美光等。

尽管有这些限制，但该国的主要**继续推进及时增资和更多国产设备的替代。

因此，美国放弃了对三星和SK海力士的限制，允许它们压制中国公司的存储发展。此外，美光也开始行动，宣布投资43亿元扩建习封测工厂，以示对华好，争取更多市场份额。

就逻辑集成电路而言，我们已经意识到，专注于开发成熟的28nm工艺将使我们在这个水平上具有优势。因此，该委员会还放宽了对台积电的限制，以便它可以在中国大陆的工厂扩大成熟工艺，以获得成熟工艺的市场份额。

因此，美国此举不是放松限制，否则三星、SK海力士和台积电的豁免期将如何延长，而对中国企业的限制却没有改变。可以看出，美国对平板电脑目标的限制并没有改变。

对此，我们必须保持警惕，坚持打造自主的国产芯片产业链，才能全面赢得未来！