国产芯片突破 中科院首片300mm RF SOI晶圆成功

国产芯片突破：中科院首片300mm RF-SOI晶圆成功。

众所周知，目前的芯片是以硅为基材，即以硅为原料，在硅片上制造，然后通过光刻、蚀刻等技术切割封装在裸片上。

可以说硅片是最重要的材料，但硅片的种类也很多，并不是所有的芯片都使用相同的硅片。

例如，前段时间，中科院上海微系统研究所表示，研究团队制备了中国首片300mm射频（RF）SOI硅片，实现了01 英寸分线。

SOI是SiliconOnInsulator的缩写，是绝缘介质上的硅晶体管结构。

SOI硅片的优点是可以降低漏电流，从而降低功耗，因为硅片的漏电功耗占总功耗的一半，降低漏电流可以大大降低功耗，减少发热。

还有SOI晶圆，可以增加时钟频率，所以这种晶圆一般适用于低功耗、低发热、低功耗、热敏器件，如射频器件、功率器件和硅光子器件。

此前，国内市场不具备制造此类SOI晶圆的能力，全球SOI晶圆市场90%以上被法国SOITEC公司垄断。 在SOI晶圆的制造中，美国是核心和最好的，很多射频芯片，各大代工厂，甚至美国，大部分射频器件代工厂，都是美国的核心。

当然，随着工艺的不断细分，SOI晶圆也分为各种类型，如FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI、PHOTONICS-SOI、IMAGER-SOI等。

这些晶圆用于不同的晶圆和不同的领域，而这次中科院只生产了RF-SOI晶圆，但我相信在接下来的后续工作中，我们将能够生产出更多的SOI晶圆。

此外，随着国产SOI晶圆的生产，也将推动SOI晶圆代工等的国产化，要知道目前国产一频芯片的发展相对落后，比如手机用的射频芯片，尤其是5G射频芯片等高端射频芯片，大部分都无法在国内制造，严重依赖进口。

我认为RF-SOI晶圆的引入也将促进射频芯片代工、封装等配套产业的发展，从而减少后续射频芯片对国外的依赖。