近日，《瓦森纳协议》全体会议在维也纳举行，共有42个成员国参加，包括美国等西方国家，以及俄罗斯、印度、以色列等，随后发布了2024年最新版本的《瓦森纳协议》（又称《瓦森纳协议》，瓦森纳安排）。
《瓦森纳协定》是美国等西方国家对中国实施高科技封锁的基础。 《瓦森纳协定》全体会议每年至少举行一次，由成员国轮流主持，主要目的是达成各国共识，并根据科学技术发展和需要更新《瓦森纳协定》。
在 2023 年最新版本的瓦森纳协议中传感器和激光器"lasers"）文章有9个新修订版，是所有文章中修订最多的，传感器技术也是被禁用最多的技术类别。
电子条目进行了七项新的修订，这是修订后第二多的技术类别，许多关键的半导体技术被归类在电子条目中特别值得注意的是，增加了对半导体制造设备的新制裁。 有关详细信息，请参见下文。
瓦森纳协议的年度更新！传感器条目有 9 个新修订版，变化最多！**半导体关键材料和设备新获批！
12 月 1 日，公布了 2023 年最新版本的瓦森纳协议，涵盖 9 类技术：
第 1 类“特殊材料及相关设备”共 21 页，第 2 类“材料加工”共 25 页，第 3 类“电子”第 28 页，第 4 类“计算机”第 6 页，第 5 类“电信和信息安全”第 23 页。第 6 类“传感器和激光器”有 40 页，第 7 类“导航和航空电子设备”为 9 页，第 8 类“船舶”为 7 页，第 9 类“航空和推进设备”为 13 页。
从类别中的页数来看，传感器和“激光”仍然是技术上最多样化的违禁技术类别，长达 40 页。
半导体技术主要归入“电子电子”范畴，包括系统、设备及元器件、测试、检验及生产设备、材料、软件及技术等，涵盖半导体的所有领域。
2024年《瓦森纳协定》修订目录。
在具体技术项目的修改方面，“传感器和激光器”是修改最多的项目，有9个修改，“电子”项目有7个修改，是仅次于传感器项目的第二大修改技术类别。
其中，“传感器和激光器”的技术信息更新和修改如下：
6.a.1.a.1.d.- 水下“替换为”潜水器 - 编辑。
6.a.1.a.2.b.-tn 从 6a.1.a.2.b.2 移至文章末尾，使用与标准措辞相同的语言 - 编辑。
6.a.1.a.2.d.1.- 明确航向传感器的精度参数。
6.a.1.b.1.b., 6.a.1.b.2.- 明确声纳记录装置的精度参数。
6.a.2.a.2.- 删除 tn
6.a.3.a.3.-明确电子条纹相机的精度参数。
6.a.5.d.1.e.- 更正了 tn 开头的参考编号 - 编辑。
6.a.5.f.3.a.- 定义光学器件的精度参数。
6.c.5.b.-tn 注意 - 编辑。
编者按：TN是Technical Note的缩写。
关于修订 2023 年修订版《瓦森纳协定》的说明。
从新修订的信息可以看出，此次主要进行“打补丁”式修改，主要通过文字说明的修改和技术参数的充实，使制裁协议更加全面细致，避免技术制裁中出现“漏网之鱼”。
值得注意的是，文章中的“社论”一词主要是指措辞的变化，修改了航向传感器、声呐设备、条纹相机、光学设备等4个关键传感器的技术参数。
以下是对“传感器和激光器”条目 6 新修订版的回顾a.3.a.3.《电子条纹相机条例》的一些简单翻译：
6. a. 3.以下相机、系统或设备及其组件：
a.仪表相机及其专门设计的组件如下：
注意：对于测量仪摄像机，请按 6a.3.a.3 规定。 至 6a.3.a.5.，采用模块化结构，应根据其最大容量进行评估，并使用根据相机制造商的规格提供的插件。
1.自 2017 年以来未使用。
2.自 2017 年以来未使用。
3.时间分辨率小于（优于）50纳秒的电子条纹相机;
4.速度超过每秒100万帧的电子框架相机;
5.具有以下所有功能的电子相机：
a.每帧电子快门速度（门控能力）小于 1 秒;和。
b.读出时间允许帧速率超过每秒 125 帧
*： 2024年修订版《瓦森纳协议》
条纹相机是超快过程检测的重要传感器件，对基础前沿科学研究和重大原创创新具有重要意义，在高能量密度物理、激光惯性约束聚变、同步辐射光源、激光雷达成像、高压放电、生物医学、光物理、光化学等研究中发挥着重要作用，并能获得时间， 目标的强度、空间等信息。
正如你所看到的，《瓦森纳协议》对传感器技术的应用范围、目的和具体参数有明确而严格的要求。
电子“项，新增修改7项，包括对变换器、谐波混频器、信号发生器、信号分析仪等设备技术参数的修改其中，最值得关注的是3个b.1.a.2.参赛作品修订说明：
addition of oxygen to compounds for equipment for epitaxial growth,resulting in the addition of gallium oxide
氧气被添加到外延生长设备中使用的化合物中因此添加了氧化镓
关于修订 2023 年修订版《瓦森纳协定》的说明。
3.b.1.a.2.该条目描述了有机金属化合物化学气相沉积装置（MOCVD）的技术参数，MOCVD是在衬底上生长半导体薄膜的关键装置，以前不包括氧气。 以下为3个b.1.a.条目描述的简单翻译：
1.设计或改装用于在 2 毫米或更远的距离内生产厚度小于 75 均匀度的硅以外的任何材料层的设备5%；包括原子层外延（ALE）设备。
2.有机金属化学气相沉积 （MOCVD） 反应器设计用于具有以下两种或多种元素的化合物半导体的外延生长：铝、镓、铟、砷、磷、锑、氧或氮
3.使用气体或固体源的分子束外延生长装置 （MBE）。
*： 2024年修订版《瓦森纳协议》
氧化镓是一种新型的超宽带隙半导体材料，是全球领先的半导体材料，受到广泛关注，并被公认为第一个开始产业化的半导体材料。 与碳化硅、氮化镓等第三代半导体相比，氧化镓的带隙宽度远高于后两者，从功率半导体特性来看，与上一代半导体材料相比，氧化镓材料具有更高的击穿电场强度和更低的导通电阻，从而产生更低的能量损耗和更高的功率转换效率。 氧化镓具有良好的化学稳定性和热稳定性，成本低廉，制备方法简单，易于批量生产，在工业化方面优势明显。
今年3月，习邮电大学半导体新器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功制备了8英寸硅片上的高品质氧化镓外延片这一成果标志着我国超宽带隙半导体研究取得重要进展。
*：习邮电大学官方网站。
瓦森纳协议限制了哪些传感器？
从全文来看，在《瓦森纳协定》中，“传感器”一词出现了141次，而此前因为华为没有可用的核心，就引起了公众的关注“集成电路”，出现76次“半导体”一词一文共出现了52次。
受制裁的传感器技术种类繁多，无论是机械、声学、光学......，都跻身于《瓦森纳协定》控制的顶级技术之列几乎所有类型的传感器都可以在瓦森纳协议中找到几乎没有任何传感器技术不受瓦森纳协议的限制
例如，在加工第2类材料时，特别列出了对磁浮轴承系统技术的限制：
具体而言，以下组件是为此目的而设计的： ......3.高温位置传感器（450k 177以上）。
第7类导航和航空电子设备，惯性测量单元 （IMU）、加速度计、陀螺仪等传感器的限制。
瓦森纳协议，传感器全文出现141次，对传感器的主要限制列在6类传感器和激光器，主要有声学、光学、激光、雷达、重力仪、电磁传感器......等等。
此外，不仅传感器本身，其他禁止技术中需要使用的关键传感技术也一一列出从中可以看出美国等西方国家对中国掌握先进传感器技术的恐惧。
什么是瓦森纳协议？
从上面，我们已经看到了传感器技术在瓦森纳协议中的“地位”，那么什么是瓦森纳协议，它给我们中国带来了多大的麻烦呢？
《瓦森纳协定》的前身是巴黎协调委员会（简称“巴统”），该委员会于2024年在美国领导下成立，英国、日本、法国、澳大利亚等17个国家参加主要目的是在苏联等社会主义国家发展高端**，当然还有中国。
中国于2024年被列入名单，此后西方国家对中华人民共和国实施了长达70年的技术制裁。 这也是人类历史上对单一国家最长的技术封锁。
由于禁运，中国缺乏先进的计算机，中国的核爆炸实验是用手摇计算机计算的。
随着2024年苏联解体，巴黎协调委员会名存实亡，并于2024年正式解散。 然而，中国并没有迎来“好日子”，2024年，在美国的建议下，它转身成立了一个更严格的“旨在控制常规和高科技的国际组织”，这就是《瓦森纳协定》。
目前，《瓦森纳协定》有42个签署国，其中17个是巴统的前成员。 具有 讽刺 意味俄罗斯、乌克兰等前苏联核心成员国也加入了这一行列。
《瓦森纳协定》签署国的分布情况。
虽然《瓦森纳协议》是一个较为宽松的国际组织，各国可以根据本国国情向非成员国出口产品，但正是这个框架给了美国随意干预国家的理由。
《瓦森纳协议》给中国带来了多大的麻烦？
中国很多高科技产业，包括传感器产业和MEMS产业，我们经常听到落后的一个重要原因是起步缓慢，这使我们处于被动追赶的境地。
那么，中国高科技产业起步缓慢的原因是什么呢？这是《瓦森纳协议》给中国带来的巨大烦恼，也是中国许多高科技产业发展缓慢的关键原因。
西方国家几乎从中华人民共和国成立之初就对中国实行严格的科技封锁，所以今天的中国科技基础，除了苏联的早期援助外，都是自己发展起来的。
建国初期从苏联进口的156个项目和相关技术，其中包括现代国家所需的大部分工业部门因此，中国初步建立了自己的工业生产和科研体系。
以中国传感器产业为例我国最早的传感器是20世纪50年代仿制前苏联的机械或机电传感器在模仿苏制地对地导弹（1059）的过程中，研究人员研制出了中国第一个涡轮流量传感器。 五十年代后期，出现了第一个半导体热敏电阻。
我国传感器制造业的正式发展始于20世纪60年代，2024年建立了我国第一批压阻式传感器研制生产单位2024年，研制成功国内第一台实用型压阻式压力传感器2024年，中国第一台固态压阻式加速度计诞生2024年，在国内率先开始研究硅微机械系统（MEMS）加工技术和SOI（绝缘体上硅）技术。
传感器是非常敏感的高科技技术，受到《瓦森纳协定》的强烈限制。 因为无法获得最新的科学成果我国传感器产业几乎所有的科研都需要自己去探索和发展，这是“慢”的一个重要原因。
一个著名的例子，2024年，捷克共和国取消了对中国的雷达出口订单。捷克共和国此前已批准向中国出口价值6000万美元的Vera雷达系统的许可证，该项目谈判了数年，双方都满意。
结果，2024年5月19日，捷克共和国突然取消了这笔交易，解释说这是应一位“好朋友”的要求做出的决定，即雷达可以帮助中国探测美国飞机。
几天后，美国证实，美国确实与捷克讨论了中国问题，并对捷克作出这一决定感到高兴。
此外，《瓦森纳协议》是**，美国限制了许多中国公司的发展。
华为被制裁，没有可用的芯片，为什么中芯国际一直赶不上三星和台积电制造更先进的芯片？
因为中芯国际买不到先进工艺的光刻机！在美国的压力下，中芯国际只能购买5年前的ASML光刻机！
英特尔、三星和台积电在 2015 年购买了 ASML 10nm 光刻机。 和大陆中芯国际在2024年只能购买ASML在2024年生产的32nm光刻机。 五年时间足以让半导体更新市场三次。
在 2021 年 11 月的瓦森纳协议修订版中，增加了 ECAD 软件和 GAAFET（全栅极场效应晶体管）的最新配方ECAD软件主要用于集成电路或印刷电路板的设计、分析、优化和验证当FinFET结构发展到7nm时，芯片工艺的小型化会遇到困难，而GaAFET结构的出现可以使芯片工艺工艺进一步减少。
中芯国际FinFET工艺可以进一步将14nm工艺提升到与台积电7nm工艺相似的水平
CAD等工业软件，是我国尚未完全掌握和非常重要的关键技术，在工业、设计等诸多方面的重要用途，详见《这是我国传感器脖子最严重的地方！100%无国产！内容。
可以看出，这是为了阻止中国企业掌握CAD相关技术，进入7nm工艺，并特意增加了限制。
一样早期的红外探测器芯片——红外传感器的核心，中国不能生产，需要从国外进口。
中国红外传感器公司高德红外一直在从法国公司采购红外探测器芯片，然后封装红外传感器出售。
2024年，法国迫美国压力，禁止企业向高德红外出口红外探测器芯片，高德红外陷入核心短缺危机——这和今天没有芯片的华为手机一样。
于是，高德红外只能自主研发红外探测器芯片，从而成为当今中国红外传感器的领跑者。 关于高德红外的故事，请参考《湖北首富也是传感器》。
结论
中国的科学技术发展到今天这个地步，并不容易。
只要中国没有掌握技术，具有发展前景的高新技术几乎全部在瓦森纳协议中尤其是传感器技术最为王道。
在工业上，几乎所有的高精度传感器都涉及这类问题因此，中国传感器企业在发展之初，最好牢牢把握自主知识产权核心技术的信念，因为越是高端传感器，就越会遇到这堵“墙”。
向所有不断突破垄断封锁技术、提升国产技术天花板的中国企业致敬！