CVD（化学气相沉积）。它是半导体工业中应用最广泛的技术，用于沉积各种材料，包括各种绝缘材料、大多数金属材料和金属合金材料。
从理论上讲，它很简单：将两种或两种以上的气态原料引入反应室，然后它们相互发生化学反应，形成一种新材料，沉积在晶圆表面。 一个很好的例子是沉积的氮化硅薄膜（Si3N4），它是由硅烷和氮气反应形成的。
化学气相沉积是一种制备薄膜的传统技术，其原理是利用气态前驱体反应物通过原子和分子之间的化学反应，分解气态前驱体中的某些组分，并在基体上形成薄膜。 化学气相沉积包括大气化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。 但是，随着技术的发展，CVD技术也在不断创新，并且有许多专门用于某些用途的技术。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。它是化学气相沉积中激发气体产生低温等离子体，增强反应物质化学活性的一种外延方法。 这种方法允许在较低温度下形成固体薄膜。 例如，在反应室中，将基体材料放置在阴极上，将反应气体引入较低的气压（1 600Pa），使基体保持在一定温度，并以某种方式产生辉光放电，基体表面附近的气体被电离，反应气体被活化， 并在基体表面产生阴极溅射，从而提高表面活性。从表面上看，不仅有通常的热化学反应，还有复杂的等离子体化学反应。 沉积膜是由这两种化学反应共同作用形成的。 激发辉光放电的主要方式有：射频激发、直流高压激发、脉冲激发和微波激发。
PECVD设备（等离子体增强化学气相沉积）-鹏程半导体科技（深圳）**
等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体结构和物理性质的影响小膜的厚度和成分均匀性好;膜组织致密，针孔少;膜层附着力强;应用范围广，可制备各种金属、无机、有机薄膜。
薄膜沉积效果图。
薄膜沉积效果图。
热丝化学气相沉积
热丝CVD在高温下采用低压气相沉积，碳氢化合物在高温下发生化学反应形成薄膜前驱体，当样品温度合适时，这些前驱体沉积在样品表面形成金刚砂膜。 低压化学气相沉积形成的膜的厚度和成分比较均匀，膜层致密。
CVD化学气相沉积的基本特点是：
产生化学变化（化学反应或热分解）;
膜内所有材料均为**外部来源;
反应物必须以气相的形式参与反应。
热长丝CVD的基本化学反应是化合物的热分解（化学键断裂）和光分解（利用辐射能破坏化合物的化学键）。 当样品温度为600-1000摄氏度时，烃类活性基团反应形成晶核，晶核形成孤岛，孤岛形成连续膜，反应副产物离开样品表面，流出生长室。
热线CVD金刚石设备-鹏程半导体科技（深圳）**
鹏程半导体研发、设计和制造热线CVD金刚石设备（热线化学气相沉积CVD）。它分为实验设备和生产设备两大类。
该设备主要用于微晶和纳米晶金刚石薄膜的研发和生产。 可用于机械、热、光学和声学金刚石产品的研发和生产。
可制造大尺寸金刚石多晶硅片，用于大功率器件、高频器件和高功率激光器的散热片散热片。
可用于生产防腐耐磨的硬质涂料环保领域污水处理用金刚石产品。
可用于制备平面工件的金刚石薄膜，也可用于制备工具表面或其他不规则表面的金刚石硬质涂层。
可用于太阳能薄膜电池的研发和生产。
工件尺寸：圆形平面加工尺寸：最大600mm。
矩形工作尺寸的宽度为1000毫米，长度可根据涂层室的长度确定（例如工件长度1500毫米）。
配备水冷样品台。
它可以涂在单面或双面。