国产14nm芯片上市，7nm国产化有望
国产28nm光刻工艺受到了极大的关注，这意味着它可以量产，最近，一部14nm手机也预示着该产品正式量产。
i.14纳米国产集成电路的重要性。
因为我们都知道，目前ASML的14nm光刻工艺，以及本土的半导体厂商使用光刻胶等原材料，都无法为其提供芯片，而现在，14nm芯片已经应用于移动**，这意味着28nm光刻工艺和光刻胶等材料已经完全国产化。
在华夏，有传言称国产28nm光刻机已经通过测试，但到目前为止，还没有新的进展。
28nm光刻机的量产是国内高端光刻机中非常关键的一环，28nm及以下级别的光刻机，全部采用浸没式光刻机，从浸没式光刻机到14nm，完全没有难度，28nm和14nm使用相同的光源，在技术上有相似之处。
28nm光刻机的量产对中国来说也是一个巨大的进步，因为我们都知道中国买不到14nm以上的光刻机，甚至连高端光刻机配件都买不到，这就导致了中国光刻机产业链越来越完整，所以会有这么长的研发周期。
此前，我国八条生产线中，有不少已经达到了14纳米，蚀刻设备和封装技术也达到了5纳米，现在，光刻机也开始批量生产。
其次，国产7nm工艺有望实现。
28nm光刻技术的大规模生产，将为我国急需的7nm技术开辟一条新路。 7nm工艺没有使用EUV，台积电原有的7nm工艺是14nm渗透光刻技术，但由于7nm技术的规模不大，只能算是中等水平。
国产光刻机，在28纳米的基础上，已经攻克了穿透的核心，用不了多久就有人告诉他，中国最多几年就能研制出14nm的EUV，而那些科学家，大概在这个时候，就收到了一些传闻。
光刻机巨头ASML也表示，即使拿到了中国光刻机的设计，中国也没有实力自主研发14nm EUV，但很快改变了态度，声称中国迟早会有实力自主研发高端光刻机，而作为工业巨头， 它有更多的信息，因此可以推断出中国在高端光刻机领域取得了长足的进步。
14纳米可以解决70%的国产芯片，7纳米可以解决90%，中国在这一领域的快速发展也完全符合美国的预期。 美国亿万富翁比尔·盖茨曾经说过，美国无力遏制中国的高端芯片技术，现在看来，比尔·盖茨的**已经成真了。
近年来，国产芯片发展非常迅速，日芯片产量已超过10亿颗，并且已经超过30%，这是基于28纳米技术的，随着更先进技术的进步，国产芯片自给率将进一步提高，到2024年，我们可以达到70%的芯片自给率。
从目前情况来看，中国对国外芯片的需求将快速下降，2024年中国半导体进口量将减少15%，1-2月份中国半导体进口量将减少26个5%，加速国产替代给美国带来了沉重的冲击，美国的半导体产业要么遭受亏损，要么经济下滑，接下来必然会受到中国的影响！接下来，他们势必会受到中国芯片的更大打击。