12月14日《科创板**》（郑元芳主编）。存储行业涨价的风越来越大，分析师们再次提高了预期，这次是“相当可观”的幅度。
摩根士丹利的最新报告指出：个人电脑和智能手机制造商正在积极建立内存芯片库存，明年Q1存储芯片有望大幅增长。
根据Trendforce集邦咨询所引用的预期数据，明年第一季度，DRAM和NAND**预计环比增长18%-23%，较TrendForce集邦咨询此前预期（DRAM**环比增长8%-13%，NAND环比增长5%-10%）提高10-13个百分点。
下游客户行为已经发生了变化：到2024年，中国智能手机OEM的订单数量将大幅增加。 大莫指出，智能手机OEM厂商已经开始**，库存才恢复到正常水平（移动DRAM需要4-6周，NAND需要6-7周）。 与此同时，PC ODM的OEM制造商也在努力建立库存。
而后仓储厂家大幅减产产量仍远低于需求，因此需求驱动存储
在供需缺口下，部分存储产品出现缺货。 原上游存储工厂减产后，整体供应资源顺序动态调整，优先供应自有品牌产品，对外NAND销售占比下降。 **链秤，目前部分商品缺货，客户敲定第一波预购后，想增加商品数量却无法再购买
不仅如此，产业链厂商对涨价趋势相当看好。
上周，全球第四大NAND闪存公司西部数据向客户发出了涨价通知函。 西部数据在信中表示，该公司将每周审查硬盘产品定价，并预计明年上半年将**将**;在NAND芯片部分，公司预计未来几个季度将是周期性的**，在目前**的基础上累计增幅可能达到55%
存储厂商威刚日前也表示乐观地认为，明年的内存**将继续积极发展，“内存多头市场即将开始”。。现阶段维持上游减产计划，涨价态度强势，不仅Nand Flash在Q4增幅超过预期，明年Q1也存在相当大的涨价空间。
值得一提的是韩国金融投资行业一致上调三星电子和SK海力士这两家存储龙头的第四季度业绩预测。其中，SK海力士预计将在今年第四季度结束连续四个季度的运营赤字，实现约1000亿韩元的利润三星电子也有望在明年第一季度实现盈利。
中信6日指出，产业链企业Q3业绩有所回暖，主流和利基储层齐涨，持续关注原有库存枯竭过程的影响和下游需求对储的恢复节奏。 从行业周期来看，海外厂商掌控的储能供需逐步改善，主流储能从Q3开始持续回暖，带动小众储在Q4触底我们看好，随着库存和需求的逐步回升，领先Q4产业链板块业绩的底部将有所回升，国内仓储产业链周期叠加本土化的趋势下将出现投资机会。 建议注意：1）存储模块;2）受益于DDR5升级渗透的内存支持芯片;3）存储芯片设计。