技术“解锁”！国产4nm小芯片量产迎新突破

每当谈到卡脖子的问题时，"缺乏核心和灵魂的减少"这一直是一个回避的话题，在过去的20年里，我们国家一直无法摆脱这种局面，而美国的技术封锁使我们无法在这些领域取得重大突破。

无论是芯片还是操作系统，都是我国面临的巨大缺口，先进的芯片几乎被美国控制的公司垄断，系统也被Microsoft的Windows、苹果的macOS、谷歌的iOS和Android所垄断。

目前，在中国，除了华为的红魔系统外，国内另一个系统几乎没有生存空间，如果美国切断我们的系统，那么后果将是不堪设想的，比如来自俄罗斯的苹果手机用户之前就已经被限制了。

即使没有绕过这个系统，在芯片领域，更何况美国是半导体产业的摇篮，技术渗透到产业链的每一个环节，从设计到制造、封装、测试等，要完全实现去美化是极其困难的。

不过，我们可以在小领域找到突破口，华为已经宣布了叠片的计划，以及光子片、超导量子片等有前途的途径，这可以帮助加速中国半导体产业链的发展。

既然中国在传统硅基晶圆领域遭遇了技术封锁，与其担心技术先进，不如换个方向，想办法"弯道超车"现在好消息来了。

日前，长电科技官宣宣布，公司已研发出高密度多维异构集成系列XDFOI小晶圆工艺，已按计划进入稳定量产阶段，同步达到面向国际客户的4nm多芯片节点产品封装集成系统。

与传统的晶圆设计不同，并非所有晶体管都必须集成在单个晶圆上，但先进的封装技术可用于集成具有不同功能的多个晶圆，以形成系统晶圆。

这样一来，小晶圆就可以绕过先进工艺，利用成熟的工艺生产出性能相近的晶圆，完美绕过了美国的技术封锁！

据了解，长电科技将充分利用该工艺的技术优势，应用于高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域，将为客户提供更薄、更轻、数据传输速率更快、能量损耗更低的成品晶圆制造解决方案。

对于长电科技的这一技术突破，有人认为这是中国突破美国晶圆技术封锁的捷径和重要路径之一，相信很快就会取得重大进展。

毫无疑问，长电科技的这项先进技术将对中国晶圆产业具有重要意义。在摩尔定律放缓的背景下，我们可以使用28nm和14nm等成熟的工艺来生产小晶圆，以达到与5nm甚至4nm晶圆相同的性能。

更重要的是，它还可以显着降低生产成本，因为成熟工艺的生产成本比先进工艺便宜得多，因此小型晶圆方案也可以互补优缺点，达到一加一大于其各部分之和的效果。

只要我们能成功掌握小晶圆技术，未来就不会因为缺乏EUV光刻技术而无法生产出先进的晶圆，理论上我们可以将现有的DUV光刻技术与小晶圆技术相结合，性能、产量和能耗都可以达到先进的晶圆工艺。

但是，中国要真正打通这个产业链还需要一段时间，芯片产业不是互联网产业，可以在短时间内实现技术，芯片产业需要日复一日的技术和经验积累。

但我相信，凭借中国人的智慧和永不言败的精神，在小型硅片、串联硅片甚至光子硅片领域，完全有机会取得突破，一旦中国全面实现突破，就轮到美国头疼了。

由此可见，美国的技术封锁打不倒我们，继续封锁只会让我们变得更强大，华为就是一个典型的例子。