MOS晶体管俗称FET，包括结型FET和绝缘栅极FET（又分为增强型和耗尽型FET）。
MOS管应用。
MOS晶体管的用途与晶体管相同，分立MOS晶体管的用途多用作开关，这里只讨论开关的用途。
增强型MOS具有以下特性：如果栅极G最初没有电压，则源极S和漏极D不导电。 在一定条件下，可以导通：NMOS管的导通条件是，当栅极G电压大于源S电压的一定值时，MOS管导通另一方面，当栅极G电压小于源S 电压一定值时，PMOS管导通。
这里说的“一定值”根据MOS的种类不同而不同，需要查阅他们的说明书来确定，有低压1 2V可以导通，也有大功率10V以上要导通的。 如果未达到此值，则可能无法完全进行，或者可能无法进行。
在实际使用中，由于MOS内部有寄生二极管，只能作为单向导通和截止，不能反转，否则电流会直接从二极管流出，无法关闭。
MOS管与**管的比较。
MOS晶体管是一种电压驱动器件，与由电流驱动的晶体管不同，因此两者的驱动电路不同。
MOS晶体管导通时，等效电阻很小，可以达到毫欧级，当用作开关时，D和S之间的压降会很小当晶体管饱和时，C和E之间总会有零点几伏的电压差，有时会产生较大的功率损耗因此，当涉及到更高电流的开关时，MOS晶体管更合适。
只要MOS晶体管满足G和S之间的电压关系，电流就可以正向或反向，但由于内部有寄生二极管，如果反转也不会关断，所以在实际使用中只能关掉一个方向晶体管的电流只能沿一个方向流动，NPN型只能从集电极C流向发射极E，PNP型只能从发射极E流向集电极C。